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参数资料
| 型号： | FDD8880 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 58A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1260pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 55W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | TO-252-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDD8880DKR |
PSPICE Electrical Model
.SUBCKT FDD8880 2 1 3 ; rev April 2004
Ca 12 8 9.5e-10
Cb 15 14 9.5e-10
LDRAIN
Cin 6 8 1.15e-9
10
DPLCAP
5
DRAIN
2
Dbody 7 5 DbodyMOD
Dbreak 5 11 DbreakMOD
Dplcap 10 5 DplcapMOD
Ebreak 11 7 17 18 33.15
RSLC2
RSLC1
51
5
ESLC
51
DBREAK
11
RLDRAIN
9
20
Eds 14 8 5 8 1
Egs 13 8 6 8 1
Esg 6 10 6 8 1
Evthres 6 21 19 8 1
Evtemp 20 6 18 22 1
It 8 17 1
GATE
1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
+
17
EBREAK 18
-
MWEAK
DBODY
Lgate 1 9 5.3e-9
Ldrain 2 5 1.0e-9
Lsource 3 7 1.7e-9
CIN
8
RSOURCE
7
LSOURCE
SOURCE
3
RLSOURCE
RLgate 1 9 53
RLdrain 2 5 10
RLsource 3 7 17
12
S1A
13
8
S2A
14
13
15
17
RBREAK
18
Mmed 16 6 8 8 MmedMOD
Mstro 16 6 8 8 MstroMOD
Mweak 16 21 8 8 MweakMOD
CA
S1B
13
+
EGS
6
8
S2B
CB
+
EDS
5
8
14
IT
RVTEMP
19
-
VBAT
+
Rbreak 17 18 RbreakMOD 1
Rdrain 50 16 RdrainMOD 3.2e-3
-
-
8
22
Rgate 9 20 2.2
RVTHRES
RSLC1 5 51 RSLCMOD 1e-6
RSLC2 5 50 1e3
Rsource 8 7 RsourceMOD 3.2e-3
Rvthres 22 8 RvthresMOD 1
Rvtemp 18 19 RvtempMOD 1
S1a 6 12 13 8 S1AMOD
S1b 13 12 13 8 S1BMOD
S2a 6 15 14 13 S2AMOD
S2b 13 15 14 13 S2BMOD
Vbat 22 19 DC 1
ESLC 51 50 VALUE={(V(5,51)/ABS(V(5,51)))*(PWR(V(5,51)/(1e-6*170),5))}
.MODEL DbodyMOD D (IS=2E-12 IKF=10 N=1.01 RS=3.76e-3 TRS1=8e-4 TRS2=2e-7
+ CJO=4.8e-10 M=0.55 TT=1e-17 XTI=2)
.MODEL DbreakMOD D (RS=0.2 TRS1=1e-3 TRS2=-8.9e-6)
.MODEL DplcapMOD D (CJO=5.5e-10 IS=1e-30 N=10 M=0.45)
.MODEL MmedMOD NMOS (VTO=2.0 KP=10 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=2.2)
.MODEL MstroMOD NMOS (VTO=2.5 KP=170 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u)
.MODEL MweakMOD NMOS (VTO=1.69 KP=0.05 IS=1e-30 N=10 TOX=1 L=1u W=1u RG=22 RS=0.1)
.MODEL RbreakMOD RES (TC1=8.3e-4 TC2=-8e-7)
.MODEL RdrainMOD RES (TC1=1.8e-3 TC2=8e-6)
.MODEL RSLCMOD RES (TC1=9e-4 TC2=1e-6)
.MODEL RsourceMOD RES (TC1=5e-3 TC2=1e-6)
.MODEL RvthresMOD RES (TC1=-1e-3 TC2=-8.2e-6)
.MODEL RvtempMOD RES (TC1=-2.6e-3 TC2=2e-7)
.MODEL S1AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-4 VOFF=-3.5)
.MODEL S1BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-3.5 VOFF=-4)
.MODEL S2AMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-1.3 VOFF=-0.8)
.MODEL S2BMOD VSWITCH (RON=1e-5 ROFF=0.1 VON=-0.8 VOFF=-1.3)
.ENDS
Note: For further discussion of the PSPICE model, consult A New PSPICE Sub-Circuit for the Power MOSFET Featuring Global
Temperature Options ; IEEE Power Electronics Specialist Conference Records, 1991, written by William J. Hepp and C. Frank
Wheatley.
?200 8 Fairchild Semiconductor Corporation
FDD8880 Rev. B 3
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参数描述 |
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