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参数资料
| 型号： | FDFS2P106A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 714pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P106ADKR |
Electrical Characteristics
T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max Units
Off Characteristics
BV DSS
Drain–Source Breakdown Voltage
V GS = 0 V,
I D = –250 μ A
–60
V
? BV DSS
? T J
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = –250 μ A, Referenced to 25 ° C
–60
mV/ ° C
I DSS
I GSSF
I GSSR
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate–Body Leakage, Forward
Gate–Body Leakage, Reverse
V DS = –48 V,
V GS = 20V,
V GS = –20 V
V GS = 0 V
V DS = 0 V
V DS = 0 V
–1
100
–100
μ A
nA
nA
On Characteristics
(Note 2)
V GS(th)
Gate Threshold Voltage
V DS = V GS ,
I D = –250 μ A
–1
–1.6
–3
V
? V GS(th)
? T J
Gate Threshold Voltage
Temperature Coefficient
I D = –250 μ A,Referenced to 25 ° C
4
mV/ ° C
R DS(on)
I D(on)
Static Drain–Source
On–Resistance
On–State Drain Current
V GS = –10 V, I D = –3A
V GS = –4.5 V, I D = –2.7 A
V GS = –10 V, I D = –3 A, T J =125 ° C
V GS = –10 V, V DS = –5 V
–10
91
112
150
110
140
192
m ?
A
g FS
Forward Transconductance
V DS = –5 V,
I D = –3.3 A
8
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
V DS = –30 V,
f = 1.0 MHz
V GS = 0 V,
714
84
33
pF
pF
pF
Switching Characteristics
(Note 2)
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Turn–On Delay Time
Turn–On Rise Time
Turn–Off Delay Time
Turn–Off Fall Time
Total Gate Charge
Gate–Source Charge
V DD = –30 V,
V GS = –10 V,
V DS = –30V,
V GS = –10 V
I D = –1 A,
R GEN = 6 ?
I D = –3A,
8
11
28
8.5
15
2
15
19
45
17
21
ns
ns
ns
ns
nC
nC
Q gd
Gate–Drain Charge
3
nC
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
I S
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current
–1.3
A
V SD
Drain–Source Diode Forward
V GS = 0 V,
I S = –1.3 A
(Note 2)
–0.8
–1.2
V
Voltage
FDFS2P106A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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