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参数资料
| 型号： | FDFS2P106A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 714pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P106ADKR |
Typical Characteristics
10
2.2
8
V GS = -10V
-6.0V
-4.5V
-3.5V
2
V GS = -3.0V
1.8
-3.0V
6
1.6
4
1.4
-3.5V
-4.0V
2
-2.5V
1.2
1
-4.5V
-6.0V
-10V
0
0.8
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10
2
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics.
- I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. On-Resistance Variation with
Drain Current and Gate Voltage.
0.29
1.8
I D = -3A
V GS = -10V
0.24
I D = -1.5A
A
1.6
T A = 125 o C
1.4
1.2
1
0.8
0.19
0.14
T A = 25 o C
0.09
0.6
0.4
0.04
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( C)
o
Figure 3. On-Resistance Variation with
Temperature.
10
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance Variation with
Gate-to-Source Voltage.
100
25 C
8
V DS = -5V
T A = -55 o C
125 o C
o
10
V GS = 0V
T A = 125 o C
1
6
0.1
25 o C
4
2
0.01
0.001
-55 o C
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0.0001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics.
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature.
FDFS2P106A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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