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参数资料
| 型号： | FDFS2P753Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P753ZDKR |
November 2006
FDFS2P753Z
Integrated P-Channel PowerTrench ? MOSFET and Schottky Diode
-30V, -3A, 115m ?
tm
Features
Max r DS(on) = 115m ? at V GS = -10V, I D = -3.0A
Max r DS(on) = 180m ? at V GS = -4.5V, I D = -1.5A
V F < 500mV @ 1A
V F < 580mV @ 2A
Schottky and MOSFET incorporated into single power surface
mount SO-8 package
Electrically independent Schottky and MOSFET pinout for
design flexibility
RoHS Compliant
General Description
The FDFS2P753Z combines the exceptional performance of
Fairchild's PowerTrench MOSFET technology with a very low
forward voltage drop Schottky barrier rectifier in an SO-8
package.
This device is designed specifically as a single package solution
for DC to DC converters. It features a fast switching, low gate
charge MOSFET with very low on-state resistance. The
independently connected Schottky diode allows its use in a
variety of DC/DC converter topologies.
Application
DC - DC Conversion
C
C
D
D
D
5
4
G
D 6
3
S
SO-8
Pin 1
A
A
S
G
C 7
C 8
2
1
A
A
MOSFET Maximum Ratings T A = 25°C unless otherwise noted
Symbol
V DS
V GS
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Parameter
Ratings
-30
±25
Units
V
V
I D
P D
E AS
V RRM
I O
T J , T STG
Drain Current -Continuous
-Pulsed
Power Dissipation
Single Pulse Avalanche Energy
Schott k y Repetitive Peak Reverse Voltage
Schott k y Average Forward Current
Operating and Storage Junction Temperature Range
(Note 1a)
(Note 1a)
(Note 2)
(Note 1a)
-3
-16
1.6
6
-20
-2
-55 to +150
A
W
mJ
V
A
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
(Note 1a)
(Note 1)
78
40
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDFS2P753Z
Device
FDFS2P753Z
Package
SO-8
Reel Size
330mm
Tape Width
12mm
Quantity
2500 units
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDFS2P753Z Rev.A
1
www.fairchildsemi.com
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