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参数资料
| 型号： | FDFS2P753Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P753ZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
6
V DD = -5V
V DD = -10V
800
C iss
4
V DD = -15V
100
C oss
f = 1MHz
2
V GS = 0V
C rss
0
0
2 4 6
8
20
0.1
1
10
30
-Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
4
3
3.5
3.0
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
2.5
V GS = -10V
T J = 25 o C
2.0
2
1.5
R θ JA = 78 C/W
T J = 125 o C
1.0
0.5
o
V GS = -4.5V
1
0.01
0.1
1
0.0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( C )
30
t AV , TIME IN AVALANCHE(ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs Case Temperature
200
10
100us
100
V GS = -10V
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T
-----------------------
1
1ms
10ms
10
I = I 25
125
A
0.1
10
10
10
10
10
10
10
10
OPERATION IN THIS
AREA MAY BE
LIMITED BY r DS(on)
0.01
0.1 1
SINGLE PULSE
TJ = MAX RATED
TA = 25OC
10
100ms
1s
10s
DC
80
1
0.6
-4
SINGLE PULSE
-3 -2
-1
0
1
T A = 25 o C
2 3
-VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
FDFS2P753Z Rev.A
5
www.fairchildsemi.com
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