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参数资料
| 型号： | FDFS2P753Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P753ZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
30
10
10
T J = 125 o C
1
1
0.1
T J = 125 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
0.01
T J = 25 o C
1E-3
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1E-3
0
5
10
15
20
V F , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 13. Schottky Diode Forward Voltage
2
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 14. Schottky Diode Reverse Current
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
t 2
NOTES:
0.01
SINGLE PULSE
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
10
0.005
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 15. Transient Thermal Response Curve
FDFS2P753Z Rev.A
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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