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参数资料
| 型号： | FDFS2P753Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 115 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 455pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P753ZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
I D = -250 μ A, V GS = 0V
I D = -250 μ A, referenced to 25°C
-30
-21
V
mV/° C
I DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
V DS = -24V,
V GS = 0V
T J = 125°C
-1
-100
μ A
I GSS
Gate to Source Leakage Current
V GS = ±25V, V DS = 0V
±10
μ A
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th )
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = -250 μ A
I D = -250 μ A, referenced to 25°C
-1
-2.1
5
-3
V
mV/°C
V GS = -10V, I D = -3.0A
69
115
r DS(on)
g FS
Drain to Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS = -4.5V, I D = -1.5A
V GS = -10V, I D = -3.0A, T J =
125°C
V DS = -5V, I D = -3.0A
115
97
6
180
162
m ?
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
V DS = -10V, V GS = 0V,
f = 1MHz
f = 1MHz
340
80
65
18
455
110
100
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
V DD = -10V, I D = -3.0A
V GS = -10V, R GEN = 6 ?
7
31
18
20
14
50
33
35
ns
ns
ns
ns
Q g(TOT)
Q g(4.5)
Q gs
Total Gate Charge at -10V
Total Gate Charge at -4.5V
Gate to Source Gate Charge
V GS = 0V to -10V
V GS = 0V to -4.5V
V DD = -10V
I D = -3.0A
6.6
3.3
1.3
9.3
4.6
nC
nC
nC
Q gd
Gate to Drain “Miller” Charge
1.6
nC
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
Source to Drain Diode Forward Voltage
V GS = 0V, I S = -2.0A
(Note 3)
-0.9
-1.2
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I F = -3.0A, di/dt = 100A/ μ s
20
14
30
21
ns
nC
Schottky Diode Characteristics
I R
V F
Reverse Leakage
Forward Voltage
V R = -20V
I F = 1A
I F = 2A
T J = 25°C
T J = 125°C
T J = 25°C
T J = 125°C
T J = 25°C
T J = 125°C
-190
-66
0.5
0.39
0.58
0.53
μ A
mA
V
FDFS2P753Z Rev.A
2
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