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参数资料
| 型号： | FDFS2P106A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 60V 3A 8-SOIC |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 714pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDFS2P106ADKR |
Typical Characteristics
10
1000
8
I D = -3A
V DS = -20V
-30V
800
C ISS
f = 1MHz
V GS = 0 V
6
4
2
-40V
600
400
200
C OSS
C RSS
0
0
0
5
10
15
20
0
3
6 9
Q g , GATE CHARGE (nC)
12
15
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
10
Figure 8. Capacitance Characteristics.
1.00E-01
1
T J = 125 o C
1.00E-02
1.00E-03
1.00E-04
T J = 125 o C
0.1
0.01
T J = 25 o C
1.00E-05
1.00E-06
T J = 25 o C
1.00E-07
0.001
1.00E-08
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0
10
20
30
40
50
60
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 9. Schottky Diode Forward Voltage.
1
D = 0.5
V R , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 10. Schottky Diode Reverse Current.
R θ JA (t) = r(t) + R θ JA
R θ JA = 135 °C/W
0.2
P(pk)
0.1
0.1
0.05
t 1
t 2
T J - T A = P * R θ JA (t)
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDFS2P106A Rev B(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDFS2P753AZ | 功能描述:MOSFET -30V Int P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDFS2P753Z | 功能描述:MOSFET -30V -3A 115 OHM PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDFS6N303 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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