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参数资料
| 型号： | FDG1024NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG1024NZFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
6
V GS = 4.5 V
2.5
5
V GS = 3.5 V
V GS = 2.5 V
2.0
V GS = 1.5 V
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
4
3
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 1.8 V
1.5
V GS = 3.5 V
1
V GS = 1.5 V
1.0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 4.5 V
0
0.5
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
1
2
3
4
5
6
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
I D = 1.2 A
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
600
PULSE DURATION = 80 μ s
1.4
V GS = 4.5 V
500
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
I D = 1.2 A
400
1.2
1.0
300
200
T J = 125 o C
0.8
0.6
100
0
T J = 25 o C
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
6
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0 V
5
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = 5 V
4
3
2
T J = 25 o C
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
T J = 125 o C
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
0
1
2
3
4
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG1024NZ Rev. C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG311N | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
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| FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG311N | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG311N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.9A, SC-70 |
| FDG311N_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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