参数资料
型号: FDG1024NZ
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 175 毫欧 @ 1.2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.6nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 150pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 标准包装
其它名称: FDG1024NZFSDKR
Dimensional Outline and Pad Layout
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG1024NZ Rev. C
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FDG311N 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDG311N 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.9A, SC-70
FDG311N_Q 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDG312P 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDG312P 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET