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参数资料
| 型号： | FDG1024NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 175 毫欧 @ 1.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDG1024NZFSDKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
5
I D = 1.2 A
300
4
V DD = 5 V
100
C iss
3
V DD = 10 V
C oss
2
V DD = 15 V
1
10
f = 1 MHz
C rss
V GS = 0 V
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
5
0.1
1
10
20
10
10
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
10
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
0.1 ms
1
1 ms
5
3
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
V GS = 0 V
0.1
SINGLE PULSE
10 ms
10
T J = 125 o C
10
T J = MAX RATED
R θ JA = 415 o C/W
100 ms
-1
T J = 25 o C
T A = 25 C
10
0.01
0.01
0.1
o
1
10
1s
DC
100
-3
0
2
4
6
8
10
12
14
100
10
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
V GS = 4.5 V
V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. Gate Leakage Current vs Gate to Source
Voltage
SINGLE PULSE
R θ JA = 415 o C/W
T A = 25 o C
1
10
10
10
10
0.1
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?20 10 Fairchild Semiconductor Corporation
FDG1024NZ Rev. C
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDG311N | MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6 |
| FDG312P | MOSFET P-CH 20V 1.2A SC70-6 |
| FDG313N_D87Z | MOSFET N-CH 25V 0.95A SC70-6 |
| FDG315N | MOSFET N-CH 30V 2A SC70-6 |
| FDG316P | MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70-6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDG311N | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG311N | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.9A, SC-70 |
| FDG311N_Q | 功能描述:MOSFET SC70-6 N-CH 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 功能描述:MOSFET SC70-6 P-CH -20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDG312P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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