参数资料
型号: FDG6322C_D87Z
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6
产品变化通告: Mold Compound Change 12/Dec/2007
Mold Compound Change 07/May/2008
标准包装: 10,000
FET 型: N 和 P 沟道
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 220mA,410mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4 欧姆 @ 220mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 9.5pF @ 10V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SC-70-6
包装: 带卷 (TR)
1
Typical Electrical Characteristics: P-Channel (continued)
5
4
3
I D = -0.41A
V DS = -5V
-15V
-10V
200
80
30
Cis s
C oss
2
1
10
5
f = 1 MHz
V GS = 0 V
Crs s
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
3
0.1
0.3
1
2
5
10
25
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 17. Gate Charge Characteristics.
3
50
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 18. Capacitance Characteristics.
1m
10
0m
1
0.5
RD
S
(O
N)
LI
MI
T
10
s
ms
s
40
30
SINGLE PULSE
R θ JA =415°C/W
T A = 25°C
1s
0.1
0.05
V GS = -4.5V
SINGLE PULSE
10
DC
s
20
10
R θ JA = 415°C
T A = 25°C
0.01
0.1
A
0.2 0.5
1
2
5
10
25
40
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
200
- V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 19. Maximum Safe Operating Area.
SINGLE PULSE TIME (SEC)
Figure 20. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
FDG6322C R ev.F3
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