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参数资料
| 型号： | FDG6322C_D87Z |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Mold Compound Change 12/Dec/2007 Mold Compound Change 07/May/2008 |
| 标准包装： | 10,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 220mA，410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 欧姆 @ 220mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9.5pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SC-70-6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Thermal Characteristics: N & P-Channel (continued)
1
0.5
0.2
0.1
0.05
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
P(pk)
R θ JA (t) = r(t) * R θ JA
R θ JA =415 °C/W
0.02
0.02
0.01
t 1
t 2
0.01
0.005
0.002
Single Pulse
T J - T A = P * R θ JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
200
t 1 , TIME (sec)
Figure 21. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in note 1.
Transient thermalresponse will change depending on the circuit board design.
FDG6322C Rev .F3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| FDG6323L | 功能描述:功率驱动器IC SC70-6 LD SW 2.5-8V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDG6323L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SWITCH INTEGRATED LOAD SMD 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SWITCH, INTEGRATED LOAD, SMD |
| FDG6323L | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET TRANSISTOR ROHS COMPLIANT:NO |
| FDG6323L_D87Z | 功能描述:开关变换器、稳压器与控制器 SC70-6 LD SW 2.5-8V RoHS:否 制造商:Texas Instruments 输出电压:1.2 V to 10 V 输出电流:300 mA 输出功率: 输入电压:3 V to 17 V 开关频率:1 MHz 工作温度范围: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:WSON-8 封装:Reel |
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