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参数资料
| 型号： | FDH44N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 108nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5335pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
500
100
T J = 25 o C
V GS DESCENDING
10V
8V
6V
5.5V
5V
4.5V
200
100
10
T J = 175 o C
V GS DESCENDING
10V
6.5V
6V
5.5V
5V
4.5V
4V
10
PULSE DURATION = 80 μ s
PULSE DURATION = 80 μ s
1
1
10
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
1
1
1
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0 100
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. Output Characteristics
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Output Characteristics
160
140
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
3
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DD = 80 V
120
100
80
2
60
T J = 175 o C
T J = 25 o C
1
40
20
V GS = 10 V, I D = 22 A
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
T J , JUNCTION TEMPERATURE
( o C)
10000
Figure 3. Transfer Characteristics
Figure 4. Normalized Drain To Source On
Resistance vs Junction Temperatrue
16
I D = 44A
100V
CIS S
250V
12
1000
400V
COSS
8
100
4
CRSS
V GS = 0V, f = 1MHz
10
1
10
100
0
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Capacitance vs Drain To Source Voltage
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 6. Gate Charge Waveforms For Constant
Gate Current
?200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH44N50 Rev. C 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH44N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diodes Small signal Package/Case:TO-247 |
| FDH44N50_Q | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F_0605 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
| FDH45N50F_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
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