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参数资料
| 型号： | FDH44N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 108nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5335pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
80
70
60
50
40
(Continued)
200
100
OPERATION IN THIS AREA
100μs
30
T J = 175 o C
T J = 25 o C
10
LIMITED BY RDS(ON)
1ms
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1
1
T C = 25 o C
10
100
10ms
DC
1000
V SD , SOURCE TO DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage vs Body
Diode Current
50
40
30
20
10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Maximum Safe Operating Area
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 9. Maximum Drain Current vs Case Temperature
DUTY CYCLE DESENDING ORDER
1
0.1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
t1
PD
t2
DUTY FACTOR, D = t1 / t2
0.01
S INGLE PULS E
PEAK T J = (PD X Z θ JC X R θ JC) + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
t1, RECTANGULAR PULSE DURATION (S)
Figure 10. Normalized Transient Thermal Impedance, Junction to Case
?200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH44N50 Rev. C 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| FDI030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| FDI038AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH44N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diodes Small signal Package/Case:TO-247 |
| FDH44N50_Q | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F_0605 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
| FDH45N50F_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
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