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参数资料
| 型号： | FDH44N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 44A TO-247 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Lead Frame Change 20/Dec/2007 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-247 Pkg |
| 标准包装： | 150 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 120 毫欧 @ 22A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 108nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5335pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 750W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Test Circuits and Waveforms
V DS
L
I AS
t P
BV DSS
V DS
VARY t P TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I AS
V GS
R G
DUT
+
-
V DD
V DD
0V
t P
I AS
0
0.01 ?
t AV
Figure 11. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 12. Unclamped Energy Waveforms
V DS
R L
V DD
Q g(TOT)
V DS
V GS = 10V
V GS
+
I g(REF)
DUT
-
V DD
0
V GS
V GS = 1V
Q g(TH)
Q gs
Q gd
I g(REF)
0
Figure 13. Gate Charge Test Circuit
Figure 14. Gate Charge Waveforms
V DS
R L
V DS
t ON
t d(ON)
90%
t r
t OFF
t d(OFF)
t f
90%
V GS
+
-
V DD
0
10%
10%
R GS
DUT
90%
V GS
50%
50%
V GS
Figure 15. Switching Time Test Circuit
0
10%
PULSE WIDTH
Figure 16. Switching Time Waveform
?200 2 Fairchild Semiconductor Corporation
FDH44N50 Rev. C 1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDH45N50F_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH50N50_F133 | MOSFET N-CH 500V 50A TO-247 |
| FDH5500_F085 | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| FDI030N06 | MOSFET N-CH 60V 120A I2PAK |
| FDI038AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-262AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH44N50 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Diodes Small signal Package/Case:TO-247 |
| FDH44N50_Q | 功能描述:MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F | 功能描述:MOSFET 500V N-CHANNEL MOSFET FRFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDH45N50F_0605 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
| FDH45N50F_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET, FRFET |
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