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参数资料
| 型号： | FDH5500_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3565pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics T C = 25 o C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t on
Turn-On Time
-
-
185
ns
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 30V, I D = 75A,
R L = 0.4 Ω , V GS = 10V,
R GS = 2.5 Ω
-
-
-
-
-
13.7
102
34
22
-
-
-
-
-
91
ns
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 75A
I F = 75A, dI SD /dt = 100A/ μ s
-
-
-
1
60
77
1.25
78
100
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25 o C to175 o C.
2: Starting T J = 25 o C, L = 0.48mH, I AS = 60A
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For
a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
FDH5500_F085 Rev. A1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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