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参数资料
| 型号： | FDH5500_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3565pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
1.20
1.0
V GS = V DS
I D = 250 μ A
1.15
1.10
I D = 1mA
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.90
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
200
0.85
-80
-40 0 40 80 120 160
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C)
200
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
10000
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 75A
8
1000
C iss
C oss
6
4
V DD = 20V
V DD = 30V
V DD = 40V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
2
100
0.1
1 10
80
0
0
20
40 60 80 100
120
140
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDH5500_F085 Rev. A1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDH600 | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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| FDH600_T50R | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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