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参数资料
| 型号： | FDH5500_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 75A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 268nC @ 20V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3565pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
180
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
150
120
90
60
30
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
V GS = 10V
0.0
0
25
50 75 100 125 150
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
175
0
25
50
75 100 125 150
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
175
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.10
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T C
10
10
10
10
10
0.01
-5
SINGLE PULSE
-4
-3
-2
-1
1
10
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
10000
V GS = 10V
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
1000
I = I 2
175 - T C
150
100
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 4. Peak Current Capability
FDH5500_F085 Rev. A1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDH600_T50R | 功能描述:整流器 Small Signal Diode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
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