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参数资料
| 型号： | FDI2532 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 79A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
SPICE Thermal Model
REV 26 February 2002
FDB2532
CTHERM1 TH 6 7.5e-3
CTHERM2 6 5 8.0e-3
th
JUNCTION
CTHERM3 5 4 9.0e-3
RTHERM1
CTHERM1
CTHERM4 4 3 2.4e-2
CTHERM5 3 2 3.4e-2
CTHERM6 2 TL 6.5e-2
6
RTHERM1 TH 6 3.1e-4
RTHERM2 6 5 2.5e-3
RTHERM3 5 4 2.0e-2
RTHERM4 4 3 8.0e-2
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 1.2e-1
RTHERM6 2 TL 1.3e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB2532
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
ctherm.ctherm1 th 6 =7.5e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =8.0e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =9.0e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =2.4e-2
ctherm.ctherm5 3 2 =3.4e-2
ctherm.ctherm6 2 tl =6.5e-2
rrtherm.rtherm1 th 6 =3.1e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =2.5e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =2.0e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =8.0e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =1.2e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =1.3e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2532 / FDB2532 Rev. C 2
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI33N25TU | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
| FDI3652 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| FDI8441_F085 | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| FDI8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| FDL100N50F | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI2532_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI33N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDI33N25TU | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI3632FS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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