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参数资料
| 型号： | FDI2532 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 79A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
125
V GS = 10V
1.0
100
0.8
75
0.6
0.4
0.2
50
25
0
0
2 5
50
75
100
125
150
175
0
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
25
50
75 100 125
T C , CASE TEMPERATURE ( o C)
150
175
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs
Ambient Temperature
2.0
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
0.01
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10-1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
2000
T C = 25 o C
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
175 - T C
I = I 25
150
V GS = 10V
100
50
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2532 / FDB2532 Rev. C 2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI33N25TU | MOSFET N-CH 250V 33A I2PAK |
| FDI3652 | MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA |
| FDI8441_F085 | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| FDI8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| FDL100N50F | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI2532_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI33N25 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:250V N-Channel MOSFET |
| FDI33N25TU | 功能描述:MOSFET TBD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI3632FS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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