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参数资料
| 型号： | FDI2532 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 9/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 150V 79A TO-262AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 79A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 107nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 310W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
SABER Electrical Model
REV April 2002
ttemplate FDB2532 n2,n1,n3
electrical n2,n1,n3
{
var i iscl
dp..model dbodymod = (isl=6.0e-11,nl=1.09,rs=2.3e-3,trs1=3.0e-3,trs2=1.0e-6,cjo=3.9e-9,m=0.65,tt=4.8e-8,xti=4.2)
dp..model dbreakmod = (rs=0.17,trs1=3.0e-3,trs2=-8.9e-6)
dp..model dplcapmod = (cjo=1.0e-9,isl=10.0e-30,nl=10,m=0.6)
m..model mmedmod = (type=_n,vto=3.55,kp=10,is=1e-30, tox=1)
m..model mstrongmod = (type=_n,vto=4.2,kp=145,is=1e-30, tox=1)
sw_vcsp..model s1amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-6.0,voff=-4.0)
sw_vcsp..model s2amod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-1.4,voff=1.0)
m..model mweakmod = (type=_n,vto=2.9,kp=0.05,is=1e-30, tox=1,rs=0.1)
DPLCAP
sw_vcsp..model s1bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=-4.0,voff=-6.0)
10
sw_vcsp..model s2bmod = (ron=1e-5,roff=0.1,von=1.0,voff=-1.4)
c.ca n12 n8 = 1.4e-9
RSLC2
c.cb n15 n14 = 1.6e-9
c.cin n6 n8 = 5.61e-9
5
RSLC1
51
ISCL
LDRAIN
RLDRAIN
DRAIN
2
9
dp.dbody n7 n5 = model=dbodymod
dp.dbreak n5 n11 = model=dbreakmod
dp.dplcap n10 n5 = model=dplcapmod
spe.ebreak n11 n7 n17 n18 = 159
GATE
spe.eds n14 n8 n5 n8 = 1 1
spe.egs n13 n8 n6 n8 = 1
spe.esg n6 n10 n6 n8 = 1
spe.evthres n6 n21 n19 n8 = 1
spe.evtemp n20 n6 n18 n22 = 1
LGATE
RLGATE
-
ESG
+
EVTEMP
RGATE + 18 -
22
20
6
8
6
EVTHRES
+ 19 -
8
CIN
50
RDRAIN
16
21
MMED
MSTRO
8
DBREAK
11
MWEAK
EBREAK
+
17
18
-
7
DBODY
LSOURCE
SOURCE
3
RSOURCE
EGS
i.it n8 n17 = 1
l.lgate n1 n9 = 9.56e-9
l.ldrain n2 n5 = 1.0e-9
l.lsource n3 n7 = 7.71e-9
CA
res.rlgate n1 n9 = 95.6
res.rldrain n2 n5 = 10
res.rlsource n3 n7 = 77.1
m.mmed n16 n6 n8 n8 = model=mmedmod, l=1u, w=1u
12
S1A S2A
13 14
8 13
S1B S2B
13
+
-
6
8
15
CB
+
EDS
-
5
8
14
8
17
IT
RBREAK
RVTHRES
RLSOURCE
18
RVTEMP
19
-
VBAT
+
22
m.mstrong n16 n6 n8 n8 = model=mstrongmod, l=1u, w=1u
m.mweak n16 n21 n8 n8 = model=mweakmod, l=1u, w=1u
res.rbreak n17 n18 = 1, tc1=1.1e-3,tc2=-9.0e-7
res.rdrain n50 n16 = 9.6e-3, tc1=9.0e-3,tc2=3.5e-5
res.rgate n9 n20 = 1.01
res.rslc1 n5 n51 = 1.0e-6, tc1=3.4e-3,tc2=1.5e-6
res.rslc2 n5 n50 = 1.0e3
res.rsource n8 n7 = 3.0e-3, tc1=4.0e-3,tc2=1.0e-6
res.rvthres n22 n8 = 1, tc1=-4.1e-3,tc2=-1.4e-5
res.rvtemp n18 n19 = 1, tc1=-4.0e-3,tc2=3.5e-6
sw_vcsp.s1a n6 n12 n13 n8 = model=s1amod
sw_vcsp.s1b n13 n12 n13 n8 = model=s1bmod
sw_vcsp.s2a n6 n15 n14 n13 = model=s2amod
sw_vcsp.s2b n13 n15 n14 n13 = model=s2bmod
v.vbat n22 n19 = dc=1
equations {
i (n51->n50) +=iscl
iscl: v(n51,n50) = ((v(n5,n51)/(1e-9+abs(v(n5,n51))))*((abs(v(n5,n51)*1e6/190))** 3))
}
}
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP2532 / FDB2532 Rev. C 2
9
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| FDI2532_Q | 功能描述:MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| FDI3632 | 功能描述:MOSFET 100V 80a 0.009 Ohms/VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI3632FS | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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