- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDI8441_F085 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDI8441_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | TO-262AB |
| 包装： | 管件 |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t (on)
t d(on)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
23
77
-
ns
ns
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V, I D = 35A
V GS = 10V, R GS = 1.5 Ω
-
-
-
-
24
75
17.9
-
-
-
-
147
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 35A
I SD = 15A
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.8
0.8
52
76
1.25
1.0
68
99
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25 o C, L = 0.46mH, I AS = 64A.
2: Pulse width = 100s.
This product has been designed to meet the extreme test conditions and environment demanded by the automotive industry. For
a copy of the requirements, see AEC Q101 at: http://www.aecouncil.com/
All Fairchild Semiconductor products are manufactured, assembled and tested under ISO9000 and QS9000 quality systems
certification.
FDI8441 _F085 Rev.A 1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| FDL100N50F | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
| FDM3622 | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| FDMA1023PZ | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 |
| FDMA1024NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI9406_F085 | 功能描述:MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDIPD-MD HARDWARE | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| FDJ1027P | 功能描述:MOSFET 1.8 V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDJ1027P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。