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参数资料
| 型号： | FDI8441_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | TO-262AB |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
300
250
200
150
100
50
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
V GS = 10V
0.0
0
25
50 75 100 125 150
175
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , CASE TEMPERATURE ( o C )
T C , CASE
TEMPERATURE ( o C )
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
P DM
0.01
t 1
0.01
NOTES:
t 2
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JC x R θ JC + T C
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
10000
175 - T C
1000
V GS = 10V
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
I = I 25
150
100
SINGLE PULSE
10
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s)
Figure 4. Peak Current Capability
FDI8441 _F085 Rev.A 1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| FDL100N50F | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
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| FDMA1023PZ | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 |
| FDMA1024NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI9406_F085 | 功能描述:MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDIPD-MD HARDWARE | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| FDJ1027P | 功能描述:MOSFET 1.8 V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDJ1027P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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