- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录419 > FDI8441_F085 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDI8441_F085 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 26A TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.7 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3（直引线） |
| 供应商设备封装： | TO-262AB |
| 包装： | 管件 |
Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
1.15
I D = 250 μ A
1.0
I D = 250 μ A
1.10
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
40000
C iss
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
10000
1000
C rss
C oss
8
6
4
V DD = 20V
V DD = 15V
V DD = 25V
2
f = 1MHz
100
0.1
V GS = 0V
1
10
50
0
0
50
100
150
200
250
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDI8441 _F085 Rev.A 1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDI8441 | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| FDL100N50F | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
| FDM3622 | MOSFET N-CH 100V 4.4A POWER33 |
| FDMA1023PZ | MOSFET P-CHAN DUAL MICROFET2X2 |
| FDMA1024NZ | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDI8442 | 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDI9406_F085 | 功能描述:MOSFET 40V, 110A, 2.2m Ohm NChannel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDIPD-MD HARDWARE | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| FDJ1027P | 功能描述:MOSFET 1.8 V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDJ1027P | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。