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参数资料
| 型号： | FDI8441 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t (on)
t d(on)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
23
77
-
ns
ns
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V, I D = 35A
V GS = 10V, R GS = 1.5 Ω
-
-
-
-
24
75
17.9
-
-
-
-
147
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 35A
I SD = 15A
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.8
0.8
52
76
1.25
1.0
68
99
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25 o C, L = 0.46mH, I AS = 64A.
2: Pulse width = 100s.
FDI8441 Rev.C0
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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