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参数资料
| 型号： | FDI8441 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-262AB |
| 标准包装： | 400 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.7毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 280nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 供应商设备封装： | I2PAK |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1605 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
1.15
I D = 250 μ A
1.0
I D = 250 μ A
1.10
1.05
0.8
1.00
0.6
0.95
0.4
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
40000
C iss
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
10000
1000
C rss
C oss
8
6
4
V DD = 20V
V DD = 15V
V DD = 25V
2
f = 1MHz
100
0.1
V GS = 0V
1 10
50
0
0
50
100
150
200
250
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDI8441 Rev.C0
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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