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参数资料
| 型号： | FDL100N50F |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-264-3 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 55 毫欧 @ 50A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 238nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12000pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2500W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-264-3，TO-264AA |
| 供应商设备封装： | TO-264 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
300
100
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
400
100
150 C
25 C
-55 C
10
6.0 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
1
0.5
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8
10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.07
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
300
150 C
0.06
100
o
25 C
0.05
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
0.04
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.03
0
50
100 150 200 250
o
1
0.0
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
1.5
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
30000
25000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 400V
20000
*Note:
15000
C iss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
10000
5000
C rss
2
10
0
-1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
30
0
0
*Note: I D = 50A
50 100 150 200
Q g , Total Gate Charge [nC]
250
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDL100N50F Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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