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参数资料
| 型号： | FDMA1028NZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicorFET 2x2, SC-75 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 68 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 340pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA1028NZDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Notes:
1. R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ JA is determined by the
user's board design.
(a) R θ JA = 86 °C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 " x 1.5 " x 0.062 " thick PCB. For single operation.
(b) R θ JA = 173 °C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper. For single operation.
(c) R θ JA = 69 o C/W when mounted on a 1 in 2 pad of 2 oz copper, 1.5 ” x 1.5 ” x 0.062 ” thick PCB. For dual operation.
(d) R θ JA = 151 o C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper. For dual operation.
a. 86 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
c. 69 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper
b. 173 °C/W when mounted on
a minimum pad of 2 oz copper
d. 151 °C/W when mounted on
a minimum pad of 2 oz copper
2. Pulse Test : Pulse Width < 300 us, Duty Cycle < 2.0%
3. The diode connected between the gate and source serves only as protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.
FDMA1028NZ Rev B 6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA1028NZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1028NZ_F021 | 功能描述:MOSFET NCh 80V 171A 3.9mOhm PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1029PZ | 功能描述:MOSFET -20V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA1029PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA1032CZ | 功能描述:MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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