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参数资料
| 型号： | FDMA291P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MicroFET 2x2, SC-75 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 42 毫欧 @ 6.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 14nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1000pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（2x2） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMA291PDKR |
April 2009
FDMA291P
Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
tm
General Description
Features
This device is designed specifically for battery charge
or load switching in cellular handset and other ultra-
portable applications. It features a MOSFET with low
–6.6 A, –20V. r DS(ON) = 42 m
r DS(ON) = 58 m
r DS(ON) = 98 m
@ V GS = –4.5V
@ V GS = –2.5V
@ V GS = –1.8V
on-state resistance.
The MicroFET 2x2 package offers exceptional thermal
performance for its physical size and is well suited to
linear mode applications.
Low profile – 0.8 mm maximum – in the new package
MicroFET 2x2 mm
Free from halogenated compounds and antimony
oxides
RoHS Compliant
Pin 1
Drain
D
D
D
D
S
G
Source
D 1
D 2
G 3
Bottom Drain Contact
6 D
5 D
4 S
MicroFET 2x 2
T A =25 C unless otherwise noted
Absolute Maximum Ratings
o
Symbol
V DS
V GS
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Ratings
–20
8
Units
V
V
I D
Drain Current
– Continuous
– Pulsed
(Note 1a)
–6.6
–24
A
P D
Power Dissipation for Single Operation
(Note 1a)
(Note 1b)
2.4
0.9
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
–55 to +150
C
Thermal Characteristics
R
R
JA
JA
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
(Note 1a)
(Note 1b)
52
145
C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
291
Device
FDMA291P
Reel Size
7’’
Tape width
8mm
Quantity
3000 units
2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA291P Rev B4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA3023PZ | MOSFET P-CH DUAL 30V MICROFET6 |
| FDMA3028N | MOSFET N-CH 30V DUAL 6MICROFET |
| FDMA410NZ | MOSFET N-CH 20V 9.5A 6-MICROFET |
| FDMA420NZ | MOSFET N-CH 20V 5.7A MICROFET |
| FDMA430NZ | MOSFET N-CH 30V 5A MICROFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA291P_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel 1.8V Specified PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA2P857 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMA3023PZ | 功能描述:MOSFET 30V 2.9A Dual P Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA3027PZ | 功能描述:MOSFET -30V Dual P-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA3028N | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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