参数资料
型号: FDMA291P
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 6.6A MFET 2X2
产品培训模块: High Voltage Switches for Power Processing
产品目录绘图: MicroFET 2x2, SC-75 Single
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫欧 @ 6.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1000pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-MicroFET(2x2)
包装: 标准包装
产品目录页面: 1609 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDMA291PDKR
Typical Characteristics
10
1600
8
I D = -6.6A
V DS = -5V
-15V
1200
f = 1MHz
V GS = 0 V
-10V
6
4
2
800
400
C rss
C oss
C iss
0
0
0
4
8 12 16
20
24
0
4 8 12 16
20
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
1000
100
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance Characteristics.
SINGLE PULSE
100
10
1
0.1
0.01
R DS(ON) LIMIT
V GS = -10V
SINGLE PULSE
R JA = 145 o C/W
10s
DC
100us
1ms
10ms
100ms
1s
80
60
40
20
R JA = 145°C/W
T A = 25°C
T A = 25 C
o
0.001
0
0.01
0.1 1 10 100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1 1
10
100
1000
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
t 1 , TIME (sec)
Figure 10. Single Pulse Maximum Power
Dissipation.
1
D = 0.5
R JA (t) = r(t) * R JA
0.2
R JA =145 °C/W
0.1
0.1
0.05
P(pk)
0.01
0.02
0.01
t 1
t 2
0.001
SINGLE PULSE
T J - T A = P * R JA (t)
Duty Cycle, D = t 1 / t 2
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t 1 , TIME (sec)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
FDMA291P Rev B4
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