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参数资料
| 型号： | FDMA510PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA510PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
24
2.5
20
16
V GS = -4.5V
V GS = -2.5V
V GS = -2V
V GS = -1.8V
2.0
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
12
V GS = -1.5V
1.5
V GS = -2.5V
V GS = -2V
8
1.0
4
0
0
1
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2 3
4
0.5
0
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
4 8
12
16
V GS = -4.5V
20
24
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
-I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
200
1.4
I D = -7.8A
V GS = -4.5V
150
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = -7.8A
1.2
100
1.0
0.8
0.6
50
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
24
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
20
16
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V DD = -5V
1
V GS = 0V
12
0.1
T J = 150 o C
8
4
T J = -55 o C
T J = 25 o C
T J = 150 o C
0.01
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
1E-3
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA510PZ Rev.B2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA520PZ | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 |
| FDMA530PZ | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| FDMA6023PZT | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET |
| FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
| FDMA7632 | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA520PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA520PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ |
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| FDMA6023PZT | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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