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参数资料
| 型号： | FDMA510PZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 7.8A 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 7.8A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 27nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1480pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | MicroFET 2x2 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMA510PZDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
3.0
I D = -7.8A
V DD = -3V
3000
1000
C iss
V DD = -5V
C oss
1.5
V DD = -7V
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0.0
0
5
10
15
20
100
0.1
1
10
20
10
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
-1
30
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
10
-2
-3
V DS = 0V
10
100us
1ms
10
10
10
10
10
JA = 145
C/W
R
-4
-5
-6
-7
-8
T J = 125 o C
T J = 25 o C
1
0.1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
o
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
10
-9
-10
0
3 6 9 12
-V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
15
0.01
0.1
T A = 25 o C
1 10
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
60
Figure 9. Gate Leakage Current vs Gate to
Source Voltage
Figure 10. Forward Bias Safe
Operating Area
400
SINGLE PULSE
100
R JA = 145 o C/W
T A = 25 o C
V GS = -4.5V
10
1
0.5
10
10
10
10
10
10
10
10
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 11. Single Pulse Maximum Power Dissipation
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMA510PZ Rev.B2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMA520PZ | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2 |
| FDMA530PZ | MOSFET P-CH 30V 6.8A MLP2X2 |
| FDMA6023PZT | MOSFET P-CH DUAL 20V 6MICROFET |
| FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET |
| FDMA7632 | MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET2X2 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMA520PZ | 功能描述:MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA520PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -20V, -7.3A, 30mヘ |
| FDMA530PZ | 功能描述:MOSFET -30V P-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMA530PZ_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Single P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET |
| FDMA6023PZT | 功能描述:MOSFET Dual P-Ch, -20V PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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