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参数资料
| 型号： | FDMB668P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2085pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB668PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
PULSE DURATION = 80 μ s
3.0
32
V GS = -4.5V
V GS = -3.0V
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
V GS = -1.5V
V GS = -1.8V
24
16
8
V GS = -2.5V
V GS = -1.8V
V GS = -1.5V
2.0
1.5
1.0
V GS = -2.5V
V GS = -3.0V
V GS = -4.5V
PULSE DURATION = 80 μ s
0
0
1
2
3
4
5
0.5
0
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
8 16 24
32
40
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
-ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
50
1.4
I D = -6.1A
V GS = -4.5V
45
I D =-6.1A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
40
1.2
35
T J = 125 o C
1.0
30
0.8
25
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
20
1
2 3 4
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
100
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
V GS = 0V
30
VDD = -5V
T J = 25 o C
10
20
T J = 150 o C
T J =
-55 o C
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
10
0.01
T J = -55 o C
0
0.0
0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
3.0
1E-3
0.0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMB668P Rev.B
3
www.fairchildsemi.com
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