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参数资料
| 型号： | FDMB668P |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.1A MICROFET8 |
| 产品目录绘图： | MicroFET 3.0 x 1.9 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 6.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 59nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2085pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-MLP，MicroFET? |
| 供应商设备封装： | 8-MLP，MicroFET（3x1.9） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMB668PDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
10
8
ID = -6.1A
V DD = -10V
5000
Ciss
6
V DD = -5V
V DD = -15V
1000
Coss
4
2
f = 1MHz
V GS = 0V
C rss
0
0
5
10
15 20 25 30
35
40
45
100
0.1
1 10
20
Q g , GATE CHARGE(nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
20
90
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs Drain
to Source Voltage
10
rDS(on) LIMITED
1ms
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
150 – T A
1
SINGLE PULSE
10ms
100ms
60
I = I 25
-----------------------
125
T A = 25 o C
R θ JA = 165 C/W
0.1
TJ = MAX RATED
R θ JA = 165o C/W
TA = 25o C
1s
10s
DC
30
SINGLE PULSE
o
10
10
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100
0
-3
-2
-1
0
1
2
3
-V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 9. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P DM
t 1
t 2
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
EAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-3
-2
-1
0
1
2
3
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
FDMB668P Rev.B
4
www.fairchildsemi.com
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