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参数资料
| 型号： | FDMC8588 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1695pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
4.5
I D = 16.5 A
3000
C iss
3.6
2.7
V DD = 10 V
V DD = 13 V
V DD = 15 V
1000
C oss
1.8
0.9
100
f = 1 MHz
V GS = 0 V
C rss
0.0
0
2
4
6
8
10
12
30
0.1
1
10
30
50
Q g , GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate Charge Characteristics
70
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Capacitance vs. Drain
to Source Voltage
50
V GS = 10 V
10
T J = 25 o C
40
20 R
θ JC = 4.7 C/W
T J
= 125 o C
T J = 100 o C
30
Limited by Package
o
V GS = 4.5 V
10
1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
T C , C ASE TEMPERATURE ( C )
100
10
t AV , TIME IN AVALANCHE (ms)
Figure 9. Unclamped Inductive
Switching Capability
100 μ s
o
Figure 10. Maximum Continuous Drain
Current vs. Case Temperature
1000
100
1
THIS AREA IS
LIMITED BY r DS(on)
1 ms
10 ms
100 ms
10
0.1
SINGLE PULSE
T J = MAX RATED
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
1s
10 s
DC
1
SINGLE PULSE
R θ JA = 125 o C/W
T A = 25 o C
0.5 -4
10
10
10
10
10
0.01
0.01
0.1
1
10
100200
10
-3
-2
-1
0
1
100
1000
V DS , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Forward Bias Safe
Operating Area
t, PULSE WIDTH (sec)
Figure 12. Single Pulse Maximum
Power Dissipation
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8588 Rev.D3
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP |
| FDMC86102L | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 |
| FDMC86102 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC86116LZ | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| FDMC8622 | MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86012 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |
| FDMC86102L | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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