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参数资料
| 型号： | FDMC8588 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 17A 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 18A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.8V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1695pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装： | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Dimensional Outline and Pad Layout
C L
8
3.40
3.20
PKG
CL
5
A
B
(0.45) 8
3.40
2.37 MIN
SYM
5
KEEP
OUT
AREA
PKG C L
3.40
3.20
1.70
(0.40)
2.15 MIN
0.70 MIN
1
4
SEE
DETAIL A
(0.65)
0.65
1
1.95
4
0.42 MIN
LAND PATTERN
RECOMMENDATION
0.10 C A B
1.95
0.37
0.27
1
4
0.65
0.50
0.30
PKG
C L
(0.20)
(0.67)
2.09
(1.65) 1.89
(0.39)
0.52
8
(2.27)
5
NOTES: UNLESS OTHERWISE SPECIFIED
A) PACKAGE STANDARD REFERENCE:
JEDEC MO-240, ISSUE A, VAR. BA,
D ATED OCTOBER 2002.
B) ALL D IMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
0.10 C
1.00
0.85
C) DIMENSIONS D O N OT IN CLUDE BUR RS
OR MOLD FLASH. MOLD FLASH OR
BURRS DOES NOT EXCEED 0.10MM.
D) DIMENSIONING AN D TOLERANCING PER
ASME Y14.5M-1994.
E) IT IS RECOMMENDED TO HAVE NO TR ACES
C
0.08 C
0.23
0.18
0.05
0.00
DETAIL A
SCALE: 2X
OR VIAS WITHIN THE KEEP OUT AREA.
F) DRAWING FILE NAME: PQFN08BREV2
SEATING
PLANE
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC8588 Rev.D3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A 8MLP |
| FDMC86102L | MOSFET N-CH 100V 7A POWER33 |
| FDMC86102 | MOSFET N-CH 100V 8-MLP |
| FDMC86116LZ | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| FDMC8622 | MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC8588DC | 功能描述:MOSFET 25V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86012 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102 | 功能描述:MOSFET 100/20V N-Chan PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86102_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel Power Trench?? MOSFET 100 V, 20 A, 24 m?? |
| FDMC86102L | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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