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参数资料
| 型号： | FDMC86116LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 103 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
15
12
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
5
4
V GS = 3 V
V GS = 3.5 V
V GS = 4 V
9
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = 3.5 V
V GS = 3 V
3
2
V GS = 4.5 V
3
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
4
5
0
0
3
6
9
12
15
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
2.2
2.0
1.8
I D = 3.3 A
V GS = 10 V
500
400
I D = 3.3 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
300
1.2
200
T J = 125 o C
1.0
100
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
15
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
10
V GS = 0 V
12
9
6
V DS = 5 V
1
0.1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
3
T J = 150 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
6
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86116LZ Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86160 | 功能描述:MOSFET 30V 2xNCh Power Clip PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8622 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86248 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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