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参数资料
| 型号： | FDMC86116LZ |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 100V 3.3A 8-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 103 毫欧 @ 3.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.3W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
Dimensional Outline and Pad Layout
0.10 C
A
(3.40)
2X
B
8
2.37
5
0.45(4X)
2.15
(1.70)
(0.40)
KEEP OUT
AREA
(0.65)
0.70(4X)
PIN1
IDENT
TOP VIEW
2X
0.10 C
0.65
1
1.95
4
0.42(8X)
A
0.8MAX
0.10 C
(0.20)
0.08 C
0.05
0.00
SIDE VIEW
C
RECOMMENDED LAND PATTERN
SEATING
PLANE
2.27+0.05
NOTES:
A.EXCEPT AS NOTED, PACKAGE CONFORMS TO
JEDEC REGISTRATION MO-240 VARIATION BA..
B.DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS.
C.DIMENSIONS AND TOLERANCES PER
ASME Y14.5M,1994.
0.45+0.05
(4X)
(1.20)
1
4
(0.40)
D.SEATING PLANE IS DEFINED BY TERMINAL TIPS ONLY
E.BODY DIMENSIONS DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
PROTRUSIONS NOR GATEBURRS.
F.FLANGE DIMENSIONS INCLUDE INTERTERMINAL FLASH
OR PROTRUSION. INTERTERMINAL FLASH OR
PROTRUSION SHALL NOT EXCEED 0.25MM PER SIDE.
G.IT IS RECOMMENDED TO HAVE NO TRACES OR VIA
0.45+0.05
(3X)
2.05+0.05
A
WITHIN THE KEEP OUT AREA.
H.DRAWING FILENAME: MKT-MLP08Trev3.
I.GENERAL RADII FOR ALL CORNERS SHALL BE 0.20MM
MAX.
8
0.65
5
0.32+0.05 (8X)
J.FAIRCHILD SEMICONDUCTOR.
0.10
C A B
1.95
BOTTOM VIEW
0.05
C
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMC86116LZ Rev.C2
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMC8622 | MOSFET N-CH 100V 4A POWER33 |
| FDMC86240 | MOSFET N-CH 150V 16A POWER33 |
| FDMC86244 | MOSFET N-CH 150V 2.8A POWER33 |
| FDMC86320 | MOSFET N CH 80V 10.7A 8-MLP |
| FDMC86324 | MOSFET N-CH 80V 20A POWER33 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMC86160 | 功能描述:MOSFET 30V 2xNCh Power Clip PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC8622 | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86240 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86244 | 功能描述:MOSFET 150V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMC86248 | 功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 600V, 3.8A, 2.5Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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