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参数资料
| 型号： | FDME1034CZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDME1034CZTFSDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DSS
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = -250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = -250 μ A, referenced to 25 °C
V DS = 16 V, V GS = 0 V
V DS = -16 V, V GS = 0 V
V GS = ±8 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
All
20
-20
16
-12
1
-1
±10
V
mV/°C
μ A
μ A
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th)
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
0.4
-0.4
0.7
-0.6
-3
2
1.0
-1.0
V
mV/°C
V GS = 4.5 V, I D = 3.4 A
V GS = 2.5 V, I D = 2.9 A
55
68
66
86
V GS = 1.8 V, I D = 2.5 A
V GS = 1.5 V, I D = 2.1 A
Q1
85
106
113
160
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 4.5 V, I D = 3.4 A,
T J =125°C
V GS = -4.5 V, I D = -2.3 A
76
95
112
142
m Ω
V GS = -2.5 V, I D = -1.8 A
120
213
V GS = -1.8 V, I D = -1.5 A
V GS = -1.5 V, I D = -1.2 A
V GS = -4.5 V, I D = -2.3 A ,
T J = 125 °C
Q2
150
190
128
331
530
190
g FS
Forward Transconductance
V DS = 4.5 V, I D =3.4 A
V DS = -4.5 V, I D = -2.3 A
Q1
Q2
9
7
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1
V DS = 10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Q2
V DS = -10 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
225
305
40
55
25
50
300
405
55
75
40
75
pF
pF
pF
Switching Characteristics
t d(on)
Turn-On Delay Time
Q1
Q1
Q2
4.5
4.7
10
10
t r
Rise Time
V DD = 10 V, I D = 1 A,
V GS = 4.5 V, R GEN = 6 Ω
Q1
Q2
2.0
4.8
10
10
ns
t d(off)
t f
Q g
Q gs
Q gd
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q2
V DD = -10 V, I D = -1 A,
V GS = -4.5 V, R GEN = 6 Ω
Q1
V DD = 10 V, I D = 3.4 A,
V GS = 4.5 V
Q2
V DD = -10 V, I D = -2.3 A,
V GS = -4.5 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
15
33
1.7
16
3
5.5
0.4
0.6
0.6
1.4
27
53
10
29
4.2
7.7
nC
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME1034CZT Rev.C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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