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参数资料
| 型号： | FDME1034CZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDME1034CZTFSDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
Source to Drain Diode Forward
Voltage
V GS = 0 V, I S = 0.9 A
V GS = 0 V, I S = -0.9 A
(Note 2)
(Note 2)
Q1
Q2
0.7
-0.8
1.2
-1.2
V
t rr
Q rr
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Time
Q1
I F = 3.4 A, di/dt = 100 A/ μ S
Q2
I F = -2.3 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q1
Q2
Q1
Q2
8.5
16
1.4
4.4
17
29
10
10
ns
nC
Notes:
1. R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined by
the user's board design.
a. 90 °C/W when mounted on
a 1 in 2 pad of 2 oz copper.
b. 195 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper.
2. Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty cycle < 2.0%.
3. The diode connected between the gate and source serves only as protection ESD. No gate overvoltage rating is implied.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME1034CZT Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDME410NZT | MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET |
| FDME905PT | MOSFET P-CH 12V 6-UMLP |
| FDML7610S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-MLP |
| FDMQ8203 | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDME410NZT | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME430NT | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME510PZT | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME820NZT | 功能描述:MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME8RG | 制造商:Panduit Corp 功能描述:8-PORT DIN RAIL FIBER OPTIC EN 制造商:Panduit Corp 功能描述:8-PORT DIN RAIL FIBER OPTIC ENCLOSURE - Bulk |
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