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参数资料
| 型号： | FDME1034CZT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.8A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 66 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-MicroFET（1.6x1.6） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDME1034CZTFSDKR |
Typical Characteristics (Q2 P-Channel) T J = 25 °C unless otherwise noted
6
3
4
2
V GS = -4.5 V
V GS = -3 V
V GS = -2.5 V
V GS = - 1.8 V
2
1
V GS = -1.5 V
V GS = -1.8 V
V GS = -2.5 V
V GS = -3 V
0
V GS = -1.5 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V GS = -4.5 V
0
0.5 1.0 1.5
2.0
0
2
4
6
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. On- Region Characteristics
1.6
I D = -2.3 A
V GS = -4.5 V
1.4
1.2
-I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 14. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
500
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
400
I D = -2.3 A
300
1.0
0.8
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 15. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
6
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
V DS = -5 V
4
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 16. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
V GS = 0 V
1
T J = 150 o C
2
0
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.1
0.01
0.001
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 17. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 18. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FDME1034CZT Rev.C1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDME410NZT | MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET |
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| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDME410NZT | 功能描述:MOSFET 20V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME430NT | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME510PZT | 功能描述:MOSFET -20V P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDME820NZT | 功能描述:MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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