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参数资料
型号： FDMQ8203
厂商： Fairchild Semiconductor
文件页数： 2/10页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP
标准包装： 3,000
系列： GreenBridge™ PowerTrench®
FET 型： 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式）
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 100V，80V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 3.4A，2.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 110 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 210pF @ 50V
功率 - 最大： 2.5W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 12-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装： *
包装： 带卷 (TR)
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
Δ BV DS S
Δ T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = -250 μ A, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = -250 μ A, referenced to 25 °C
V DS = 80 V, V GS = 0 V
V DS = -64 V, V GS = 0 V
V GS = ±20 V, V DS = 0 V
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
100
-80
72
-79
1
-1
±100
±100
V
mV/°C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
Δ V GS(th )
Δ T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = -250 μ A
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = -250 μ A, referenced to 25 °C
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
2
-1
3
-1.6
-8
5
4
-3
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 3 A
85
110
V GS = 6 V, I D = 2.4 A
Q1/Q4
118
175
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 3 A , T J = 125 °C
V GS = -10 V, I D = -2.3 A
V GS = -4.5 V, I D = -2.1 A
Q2/Q3
147
161
188
191
190
235
m Ω
V GS = -10 V, I D = -2.3 A, T J = 125 °C
273
323
g FS
Forward Transconductance
V DS = 10 V, I D = 3 A
V DS = -10 V, I D = -2.3 A
Q1/Q4
Q2/Q3
6
6
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q1/Q4:
V DS = 50 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2/Q3:
V DS = -40 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
158
639
41
46
2.6
24
210
850
55
65
5
40
pF
pF
pF
Switching Characteristics
V DD = 50 V,
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1/Q4:
V DD = 50 V, I D = 3 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 Ω
Q2/Q3:
V DD = -40 V, I D = -2.3 A,
V GS = -10 V, R GEN = 6 Ω
VGS = 0 V to 10 V
VGS = 0 V to -10 V Q1/Q4:
VGS = 0 V to 5 V
VGS = 0 V to -4.5 V I D = 3 A
Q2/Q3:
V DD = -40 V,
I D = -2.3A
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
3.8
4.7
1.3
2.8
7.5
22
1.9
2.7
2.9
13
1.6
6.4
0.8
1.6
0.8
2.6
10
10
10
10
15
35
10
10
5
19
3
10
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMQ8203 Rev.C1
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
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