- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录421 > FDMQ8203 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDMQ8203 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | GreenBridge™ PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V，80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Characteristics (P-Channel) T J =
10
25 o C unlenss otherwise noted
4
8
V GS = -10 V
V GS = -4.5 V
V GS = -3.5 V
3
V GS = -2.5 V
V GS = -3 V
V GS = -3.5 V
6
4
V GS = -3 V
2
V GS = -4.5 V
2
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1
PULSE DURATION = 80 μ s
V GS = -10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
0
0
1
2
3
V GS = -2.5 V
4
5
0
0
2
4 6
- I D , DRAIN CURRENT (A)
8
10
-V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 10. On-Region Characteristics
Figure 11. Normalized on-Resistance vs Drain
Current and Gate Voltage
2.0
1.8
I D = - 2.3 A
V GS = - 10 V
600
I D = -2.3 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.6
1.4
500
400
1.2
1.0
0.8
0.6
300
200
100
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.4
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
0
2
4 6 8
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
10
Figure 12. Normalized On-Resistance
vs Junction Temperature
Figure 13. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
10
PULSE DURATION = 80 μ s
10
V GS = 0 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
8
6
4
2
V DS = -5 V
T J = 150 o C
T J =
T J = 25 o C
-55 o C
1
0.1
0.01
T J = 150 o C
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0
1
2
3
4
5
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 14. Transfer Characteristics
-V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 15. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMQ8203 Rev.C1
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
| FDMS015N04B | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| FDMS0312S | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| FDMS039N08B | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
| FDMS2504SDC | MOSFET N-CH 25V 42A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMQ8403 | 功能描述:MOSFET SER BOOST LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS015N04B | 功能描述:MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS025C480-YW | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:250W 480V HPS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。