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参数资料
| 型号： | FDMQ8203 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 100V DUAL 12-MLP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | GreenBridge™ PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥式） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 100V，80V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.4A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 110 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 210pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 12-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Source to Drain Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
V GS = 0 V, I S = 3 A
V GS = 0 V, I S = -2.3 A
Q1/Q4:
I F = 3 A, di/dt = 100 A/ μ s
(Note 2) Q1/Q4
(Note 2) Q2/Q3
Q1/Q4
Q2/Q3
0.86
-0.82
32
26
1.3
-1.3
52
42
V
ns
Q rr
Reverse Recovery Charge
Q2/Q3:
I F = -2.3 A, di/dt = 100 A/ μ s
Q1/Q4
Q2/Q3
21
26
34
42
nC
Notes:
1: R θ JA is determined with the device mounted on a 1 in 2 pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R θ JC is guaranteed by design while R θ CA is determined
by the user's board design.
a. 50 °C/W when mounted on a 1 in 2
pad of 2 oz copper, the board
designed Q1+Q3 or Q2+Q4.
2: Pulse Test: Pulse Width < 300 μ s, Duty cycle < 2.0%.
b. 160 °C/W when mounted on a
minimum pad of 2 oz copper, the
board designed Q1+Q3 or Q2+Q4.
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMQ8203 Rev.C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMQ8403 | MOSFET N-CH 100V 6A 12-MLP |
| FDMS015N04B | MOSFET N-CH 40V 31.3A 8-PQFN |
| FDMS0312S | MOSFET N-CH 30V 19A POWER56 |
| FDMS039N08B | MOSFET N-CH 80V 19.4A POWER56 |
| FDMS2504SDC | MOSFET N-CH 25V 42A POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMQ8403 | 功能描述:MOSFET SER BOOST LED DRVR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMQ86530L_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:GreenBridgeTM Series of High-Efficiency Bridge Rectifiers N-Channel PowerTrench MOSFET |
| FDMS015N04B | 功能描述:MOSFET NCh40V100A,1.5m ohms PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS025C480-YW | 制造商:Thomas & Betts 功能描述:250W 480V HPS |
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