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参数资料
| 型号： | FDMS7580 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1190pF @ 13V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDMS7580DKR |
Typical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
60
50
V GS = 4.5 V
V GS = 4.0 V
PULSE DURATION = 80 μ s
10
8
V GS = 3.0 V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
40
30
V GS = 10 V
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
6
V GS = 3.5 V
20
10
V GS = 3.5 V
4
2
V GS = 4.0 V
0
0
1
2
3
V GS = 3.0 V
4
5
0
0
10
V GS = 4.5 V
20 30 40
V GS = 10 V
50
60
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
1.6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
40
1.5
1.4
I D = 15 A
V GS = 10 V
30
I D = 15 A
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
1.3
1.2
20
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
10
0
T J = 125 o C
T J = 25 o C
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
2
4
6
8
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
60
50
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5% MAX
100
10
V GS = 0 V
V DS = 5 V
40
T J = 150 o C
1
T J = 150 o C
30
T J = 25 o C
0.1
T J = 25 o C
20
10
0
T J = -55 o C
0.01
0.001
T J = -55 o C
1
2
3
4
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS7580 Rev.C
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7600AS | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7602S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7603S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
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