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参数资料
| 型号： | FDMS7600AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A，40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS7600ASDKR |
December 2009
FDMS7600AS
Dual N-Channel PowerTrench ? MOSFET
N-Channel: 30 V, 30 A, 7.5 m ? N-Channel: 30 V, 40 A, 2.8 m ?
Features
Q1: N-Channel
Max r DS(on) = 7.5 m ? at V GS = 10 V, I D = 12 A
Max r DS(on) = 12 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Q2: N-Channel
Max r DS(on) = 2.8 m ? at V GS = 10 V, I D = 20 A
Max r DS(on) = 3.3 m ? at V GS = 4.5 V, I D = 18 A
RoHS Compliant
General Description
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a
dual MLP package.The switch node has been internally
connected to enable easy placement and routing of synchronous
buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous
SyncFET (Q2) have been designed to provide optimal power
efficiency.
Applications
Computing
Communications
General Purpose Point of Load
Notebook V CORE
S2
S2
S2
G2
S2
5
Q2
4 D1
D1
S1/D2
S2
6
3 D1
Top
Power 56
D1
D1
D1
G1
Bottom
S2
G2
7
8
Q1
2 D1
1 G1
MOSFET Maximum Ratings T A = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
V DS
Drain to Source Voltage
Parameter
Q1
30
Q2
30
Units
V
V GS
I D
Gate to Source Voltage
Drain Current
-Continuous (Package limited)
-Continuous (Silicon limited)
-Continuous
(Note 3)
T C = 25 °C
T C = 25 °C
T A = 25 °C
±20
30
50
12 1a
±20
40
120
22 1b
V
A
-Pulsed
40
60
P D
Power Dissipation for Single Operation
T A = 25 °C
T A = 25 °C
2.2 1a
1.0 1c
2.5 1b
1.0 1d
W
T J , T STG
Operating and Storage Junction Temperature Range
-55 to +150
° C
Thermal Characteristics
R θ JA
Thermal Resistance, Junction to Ambient
57 1a
50 1b
R θ JA
R θ JC
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
125 1c
3.5
120 1d
2
°C/W
Package Marking and Ordering Information
Device Marking
FDMS7600AS
Device
FDMS7600AS
Package
Power 56
Reel Size
13 ”
Tape Width
12 mm
Quantity
3000 units
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7600AS Rev.C
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7602S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7608S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS7620S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
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| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7602S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7603S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS7606 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7608S | 功能描述:功率驱动器IC PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMS7620S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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