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参数资料
| 型号： | FDMS7600AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A，40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS7600ASDKR |
Electrical Characteristics T J = 25 °C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Type
Min
Typ
Max
Units
Off Characteristics
BV DSS
? BV DS S
? T J
I DSS
I GSS
Drain to Source Breakdown Voltage
Breakdown Voltage Temperature
Coefficient
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
I D = 250 μ A, V GS = 0 V
I D = 1 mA, V GS = 0 V
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 1 mA, referenced to 25 °C
V DS = 24 V, V GS = 0 V
V GS = 20 V, V DS = 0 V
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
30
30
15
18
1
500
100
100
V
mV /° C
μ A
μ A
nA
nA
On Characteristics
V GS(th)
? V GS(th )
? T J
Gate to Source Threshold Voltage
Gate to Source Threshold Voltage
Temperature Coefficient
V GS = V DS , I D = 250 μ A
V GS = V DS , I D = 1 mA
I D = 250 μ A, referenced to 25 °C
I D = 1 mA, referenced to 25 °C
Q1
Q2
Q1
Q2
1
1
1.8
1.5
-6
-5
3
3
V
mV/°C
V GS = 10 V, I D = 12 A
6.0
7.5
V GS = 4.5 V, I D = 10 A
Q1
8.5
12
r DS(on)
Drain to Source On Resistance
V GS = 10 V, I D = 12 A , T J = 125 °C
V GS = 10 V, I D = 20 A
V GS = 4.5 V, I D = 18 A
Q2
8.3
2.2
2.6
12
2.8
3.3
m ?
V GS = 10 V, I D = 20 A , T J = 125 °C
2.6
3.8
g FS
Forward Transconductance
V DS = 5 V, I D = 12 A
V DS = 5 V, I D = 20 A
Q1
Q2
63
190
S
Dynamic Characteristics
C iss
C oss
C rss
R g
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Q1:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q2:
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHZ
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
1315
5265
445
2150
45
200
0.9
0.3
1750
7005
600
2860
70
300
pF
pF
pF
?
Switching Characteristics
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g
Q g
Q gs
Q gd
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Gate to Source Gate Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Q1:
V DD = 15 V, I D = 12 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
Q2:
V DD = 15 V, I D = 20 A,
V GS = 10 V, R GEN = 6 ?
V GS = 0 V to 10 V Q1
V DD = 15 V,
V GS = 0 V to 4.5 V I D = 12 A
Q2
V DD = 15 V,
I D = 20 A
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
8.6
18
2.5
7.6
20
45
2.3
5.2
20
81
9.3
37
4.3
13
2.2
9.6
18
32
10
16
32
72
10
10
28
113
13
52
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
nC
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7600AS Rev.C
2
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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