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参数资料
| 型号： | FDMS7600AS |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 10/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V POWER56 |
| 产品目录绘图： | 8-MLP, Power33, 56 Dual |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A，40A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1750pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS7600ASDKR |
Typical Characteristics (continued)
SyncFET Schottky body diode
Characteristics
10
Fairchild’s SyncFET process embeds a Schottky diode in parallel
with PowerTrench MOSFET. This diode exhibits similar
characteristics to a discrete external Schottky diode in parallel
with a MOSFET. Figure 25 shows the reverse recovery
characteristic of the FDMS7600AS.
15
Schottky barrier diodes exhibit significant leakage at high tem-
perature and high reverse voltage. This will increase the power
in the device.
-1
10
10
-2
T J = 125 o C
10
didt = 300 A/ μ s
-3
T J = 100 o C
10
5
-4
10
0
-5
T J = 25 o C
10
-5
150
200
250
300
-6
0
5
10
15
20
25
30
TIME (ns)
Figure 25. FDMS7600AS SyncFET body
diode reverse recovery characteristic
V DS , REVERSE VOLTAGE (V)
Figure 26. SyncFET body diode reverse
leakage versus drain-source voltage
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDMS7600AS Rev.C
10
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS7602S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7608S | MOSFET N-CH 30V DUAL 8-PQFN |
| FDMS7620S | MOSFET N-CH 30V DUAL POWER56 |
| FDMS7650DC | MOSFET N-CH 30V 47A POWER56 |
| FDMS7650 | MOSFET N-CH 30V POWER56 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS7602S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7603S | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FDMS7606 | 功能描述:MOSFET Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS7608S | 功能描述:功率驱动器IC PT7 Nch 30/20V & PT8 Nch 30/20V RoHS:否 制造商:Micrel 产品:MOSFET Gate Drivers 类型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升时间: 下降时间: 电源电压-最大:30 V 电源电压-最小:2.75 V 电源电流: 最大功率耗散: 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 封装:Tube |
| FDMS7620S | 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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