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参数资料
| 型号： | FDMS8670S |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 20A POWER56 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品变化通告： | Plating Material Change 13/June/2007 Power 56 Pkg/Design Change 14/Apr/2009 |
| 产品目录绘图： | Power56 Single |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PQFN，Power56 |
| 供应商设备封装： | Power56 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1609 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDMS8670SDKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
180
4.0
150
120
V GS = 10V
V GS = 4.5V
V GS = 4V
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
3.5
3.0
2.5
V GS = 3V
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
V GS = 3.5V
90
2.0
V GS = 4V
60
30
V GS = 3V
1.5
1.0
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0
0.5
0
1
2
3
4
0
30
60
90
120
150
180
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On Region Characteristics
1.8
ID, DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
10
1.6
I D = 20A
V GS = 10V
I D = 20A
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
8
1.4
1.2
6
T J = 125 o C
1.0
4
0.8
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
2
3
4 5 6 7 8 9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On Resistance
vs Junction Temperature
150
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
20
120
PULSE DURATION = 80 s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
90
60
1
0.1
T J = 125 o C
T J = 25 o C
30
T J = 125 o C
T J = 25 o C
0.01
T J = -55 o C
T J = -55 o C
0
1
2 3
4
1E-3
0.0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0.7
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
FDMS8670S Rev.C5
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDMS8848NZ | MOSFET N-CH 40V 22.8A POWER56 |
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| FDMS9620S | MOSFET N-CHAN DUAL 30V POWER56 |
| FDN302P | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3 |
| FDN304PZ | MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDMS8670S_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM 30V, 42A, 3.5mз |
| FDMS8670S_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench㈢ SyncFET TM |
| FDMS8672AS | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8672S | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench SyncFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDMS8674 | 功能描述:MOSFET 30V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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